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=== 트랜지스터 계열 ===
트랜지스터는 스위칭에는 적합하지만, 소전력 위주로 발달한 역사가 길다보니, 대전력 스위칭 제어에 활발히 사용되게 된 것은 꽤나 나중의 일이었다. 특히 기존에 자주 사용되던 [[MOSFET]] 등의 스위칭 솔루션은 대전력 제어가 불가능했으나, 연구가 진행되며 대전력 제어가 가능해짐에 따라 철도차량에서도 사용되기 시작하였다. 사이리스터에 비해서 턴오프 시간이 짧아 효율이 좋고 소음이 적어, 2016년 현재는 거의 모든 전기철도차량에 트랜지스터 기반 장치가 사용되고 있다.

소음의 경우 사이리스터에 비해서 상당히 저감되는데, 이는 턴오프 시간이 사이리스터에 비해서는 짧기 때문이다. 사이리스터와 변조음을 비교하면, 애초부터 튀는 전력 자체가 적어 에너지가 적게 발생하므로 소음 자체가 작아지게 된다. 특성상 비동기 구간이 훨씬 길고 비동기 구간 내에서 비교적 높은 주파수를 유지하며, 동기 구간에 들어서면 대부분 펄스가 1–3단으로 낮아져 오히려 가청 영역에 아슬아슬하게 걸쳐 들리기 어렵게 되므로<ref>에너지에 훨씬 덜 민감한 영역의 주파수이므로</ref> 소음 발생량이 기존 사이리스터 솔루션들에 비해서는 적은 것.
* '''대전력 (접합형) 트랜지스터''' (PTr; Power (bipolar junction) Transistor)
*: 초창기 [[미츠비시]] 등이 시도했던 것으로, 기존 트랜지스터에 비해 내압성을 높인 접합형 트랜지스터를 사용하였다. 가격은 저렴했으나 스위칭 속도도 느리고 임피던스도 낮아 소음이 GTO에 비해 크게 저감되지 않았으며, 효율도 그닥 좋은 편은 아니었기 때문에 초창기 위주로 사용되다가 IGBT에 자리를 넘겨주었다.
* '''[[절연 게이트 양극성 트랜지스터]]''' (IGBT; Insulated-gate Bipolar Transistor)
*: 쉽게 말해 기존 효율은 좋지만 대전력 제어가 불가능하던 [[MOSFET]]에 효율은 나쁘지만 대전력 제어는 가능한 PTr의 장점을 섞어 만든 것으로, 대전력 제어에 특화된 트랜지스터다. MOSFET에 비해서는 스위칭 속도가 길고 임피던스도 낮지만<ref>그러므로 소음이 거의 없는 MOSFET에 비해 소음이 꽤 발생한다. 그러나 기존 GTO이나 PTr에 비할 바는 아닌 수준.</ref> 일단 게이트도 절연되어 있고 구조 자체가 효율성을 뽑아내는데 최적화된 구조라 철도차량에서는 여전히 애용되고 있다.
** SiC